ООО КДП производит и поставляет по заказу компоненты для оптоэлектронных приборов, детекторов и для микроэлектроники:

МОНОКРИСТАЛЛЫ A2B6

Монокристаллы A2B6 в слитках, пластинах и других формах по заказу потребителей:

• Сульфид цинка
• Селенид цинка
• Теллурид цинка
• Сульфид кадмия
• Селенид кадмия
• Сульфоселенид кадмия

Монокристаллы выращиваются химическим осаждением из газовой фазы. Чистота кристаллов превышает 6N. По требованию обеспечивается отжиг под парциальным давлением Zn, Cd, S, Se после окончания роста(для контроля удельного сопротивления).  Возможна добавка примесей In, Al, Cr, Fe, Ni и др.

ОБЪЕМНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

ZnS, макс. размер слитка(диаметр x высота, мм): 40 x15, направление роста: <111>, структура:кубическая, параметры решетки: a=5.4093, удельное сопротивление(Ом x cm):1x10^8...1x10^12, Холловская подвижность(см^2/(В x сек):140 (e)
ZnSe, макс. размер слитка(диаметр x высота, мм): 55 x15, направление роста: <111> или <100>, структура:кубическая, параметры решетки: a=5.6687,удельное сопротивление(Ом x см):1x10^8...1x10^12(не легированный),5x10^-2...1x10^6(легированный), Холловская подвижность(см^2/(В x сек):400 (e)
ZnTe, макс. размер слитка(диаметр x высота, мм): 40 x15, направление роста: <111>, структура:кубическая, параметры решетки:a=6.1034,удельное сопротивление(Ом x см):1X10^6, Холловская подвижность(см^2/(В x сек):130 (h)
CdS, макс. размер слитка(диаметр x высота, мм): 50 x10, направление роста: <0001>, структура:гексагональная, параметры решетки:a=4.1369,c=6.7161,удельное сопротивление(Ом x см):1x10^10, Холловская подвижность(см^2/(В x сек):650 (e)